Business & Industrie
2MBI300N-120 FUJI IGBT Modul Dual Power Module 1200V 300A New
Die Inhalte dieser Webseite enthalten Affiliate-Links, für die wir möglicherweise eine Vergütung erhalten.
Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
2MBI300N-120 FUJI IGBT Modul Dual Power Module 1200V 300A New
- Transistor-TypLeistungstransistor
- Herstellernummer2MBI300N-120, 2MBI300N
- MarkeFuji
- ProduktartIGBT
- Anzahl der Elemente pro Chip2
- Kollektor-Emitter-Spannung1200 V
- Maximaler DC Kollektorstrom300 A
- Artikelnr.374945981632
Jetzt bei eBay:
Zum Angebot *
95,-
Sie sind zur Rückgabe gebrauchter Batterien als Endnutzer gesetzlich verpflichtet. Die auf den Batterien abgebildeten Symbole haben folgende Bedeutung = Batterie darf nicht in den Hausmüll gegeben werden.
Das könnte Dich auch interessieren:
- Infineon Technologies IGBT-Modul FZ1200R12KF5, NEUOVP
- 10 Paar IR LED 3mm 940nm Infrarot Emittierende Diode Sender Empfänger
- Infrarot Sender Empfänger Modul Set 5V IR Transmitter Receiver für Arduino
- 4 Stück IRLZ34N Transistor N-MOSFET 30A 55V 68W TO220
- Waveshare RPi IR-CUT Kamera mit Nachtsicht 5MP 3.3V 1080P für Raspberry Pi
- 0.96 Zoll OLED Display weiß SSD1306 128x64 I2CIIC Modul
- INA219 Spannungssensor Strom Sensor Monitoring - Messspannung bis 26V I2C
- MOSFET IRF520 Modul N-Kanal Power-MOS Transistor Treibermodul LED Arduino
- 4 Stück IRF 4905 Transistor P-MOSFET 200W 55V 74A TO220
- IRFZ44NPBF N-Kanal MOSFET 55V 49A 94W 60ns THT TO-220AB TTL N-Channel IRFZ44N
Jetzt bei eBay:
Infineon Technologies IGBT-Modul FZ1200R12KF5, NEUOVP
- MarkeInfineon
- ProduktartIGBT
Jetzt bei eBay:
SKIIP 12NAB12T4V1 M20 Modul IGBT DiodeTransistor boost chopper Urmax 1,6kV Ic
- HerstellernummerSKIIP 12NAB12T4V1 M20
- MarkeSEMIKRON
- HerstellerSEMIKRON
- MarkenkompatibilitätFür SEMIKRON
- ProduktartElektronik
- EAN7437242152137
Jetzt bei eBay:
6PS0400R12KE3-3G Infineon 3x FF400R12KE3 210A AC 400V IGBT Modules Prime Stack
- Kollektor-Emitter-Spannung-12 V
- Maximale Kollektor-Basis Spannung400 V
- Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung-3 V
- Maximale Basis-Emitter Spannung-6 V
- Transistor-TypLeistungstransistor
- Herstellernummer6PS0400R12KE3-3GH, 6PS0400R12KE3, 6PS0400R12KE, 6PS0400R12K, 6PS0400R12
- MarkeInfineon
- ProduktartIGBT
- KonfigurationKomplex
- Anzahl der Elemente pro Chip3
- Maximaler DC Kollektorstrom210 A
Jetzt bei eBay:
Mitsubishi CM50DU-24F IGBT Module 1200V 50A NChannel R6-D13
- MarkeMitsubishi
- HerstellernummerCM50DU-24F
- Volt1200V
- Amper50A
- EAN4251192715371
Jetzt bei eBay:
CM100DY-24A IGBT MODULE DUAL 1200V 100A MITSUBISHI 716203
- MarkeMITSUBISHI
- HerstellernummerCM100DY-24A
- Volt1200V
- Amper100A
- EAN4251192726773
Jetzt bei eBay:
MOSFET IGBT Modul, FP15R12YT3, 15A, 1200V, 3Phasen, Infineon 1St
- MarkeInfineon
- EANnichtzutreffend
Jetzt bei eBay:
MITSUBISHI IGBT MODULES CM75BU-12H
- MarkeMitsubishi
Jetzt bei eBay:
IGBT-Modul Semikron SKM50GB12T4 Neu Halbbrücke
- MarkeSEMIKRON
- ProduktartIGBT
Jetzt bei eBay:
PS21997-4 MITSUBISHI Ipm IGBT Modul
- MarkeMitsubishi
- ProduktartIGBT
Jetzt bei eBay:
IGBT Modul N-Series Fuji Electric 2MBI75N-120 75A 1200V
- MarkeFuji
- ProduktartIGBT
- Maximaler DC Kollektorstrom75A
Jetzt bei eBay:
Infineon Technologies IGBT Modul Trench FZ1600R33HE4BPSA1 1 Stück 0,46
- HerstellernummerIGBT Modul, FZ1600R33HE4BPSA1
- MarkeInfineon
- ProduktartIGBT Modul
- EANnichtzutreffend
Jetzt bei eBay:
Semikron SKM400GA12V IGBT - Modul SEMITRANS 4 Einzeln Standard 1200 V
- MarkeSemikron
- ProduktartIGBT - Modul
- Transistor-TypTrench
- Herstellernummer22892103
- Länge100
- Anzahl der Einheiten0
- FarbeMulti
- EAN2050001655875
Jetzt bei eBay:
SKM 75GB176D Modul IGBT TransistorTransistor IGBT Halbbrücke Urmax 1,7kV SEMI
- HerstellernummerSKM 75GB176D
- MarkeSEMIKRON
- HerstellerSEMIKRON
- MarkenkompatibilitätFür SEMIKRON
- ProduktartElektronik
- EAN7429505127136
Jetzt bei eBay:
BSM400GB60DN2 Eupec Infineon IGBT Modul 600V 400A Power Module New
- Maximale Kollektor-Basis Spannung600 V
- Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung-400 V
- Maximale Basis-Emitter Sättigungsspannung-2 V
- Transistor-TypLeistungstransistor
- HerstellernummerBSM400GB60DN2, BSM400GB60DN, BSM400GB60D, BSM400GB60, BSM400GB6, BSM400GB, BSM400G, BSM400
- MarkeInfineon
- ProduktartIGBT
- Kollektor-Emitter-Spannung600 V
- Maximaler DC Kollektorstrom400 A
Jetzt bei eBay:
GP350MHB06S DYNEX Half Bridge IGBT Module 600V 350A Power Modul
- Transistor-TypLeistungstransistor
- MarkeDYNEX
- ProduktartIGBT
- Anzahl der Elemente pro ChipSEMICONDUCTORS/TRANSISTOR IGBT
- Maximale Kollektor-Basis Spannung600 V
- Maximaler DC Kollektorstrom350 A
- Kollektor-Emitter-Spannung600 V
Jetzt bei eBay:
APT200GT60JR Microsemi Modul 600V 200A IGBT Module SOT-227
- Transistor-TypLeistungstransistor
- HerstellernummerAPT200GT60JR, APT200GT60
- MarkeMicrosemi
- ProduktartIGBT
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- GehäuseSOT-227
- Maximaler DC Kollektorstrom60 A
- Kollektor-Emitter-Spannung600 V
Jetzt bei eBay:
MG8J6ES1 Toshiba IGBT Power Module 600V 8A
- Maximale Basis-Emitter Spannung-6 V
- HerstellernummerMG8J6ES1
- Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung1,0 V
- MarkeToshiba
- ProduktartIGBT
- MaßeinheitEinheit
- Maximaler DC Kollektorstrom8 A
- Anzahl der Einheiten1
Jetzt bei eBay:
MICROCHIP TECHNOLOGY APT85GR120JD60 IGBT-MODUL
- BrandMICROCHIP TECHNOLOGY
- MarkeMICROCHIP TECHNOLOGY
- ProduktartIGBT
- MPNAPT85GR120L
Jetzt bei eBay:
SIEMENS BSM200GA120D Dual IGBT Module
- MarkeSIEMENS
- HerstellernummerBSM200GA120D
- ProduktartIGBT
Jetzt bei eBay:
Infineon DD1200S17H4B2 IGBT-Modul Neu in OVP
- HerstellernummerDD1200S17H4_B2
- MarkeInfineon
- ProduktartIGBT
- Maximale Betriebstemperatur150 °C
- MontageartOberflächenmontage
- VerpackungKarton OVP
- Spitzenstrom2400A
- Minimale Betriebstemperatur-40 °C
Jetzt bei eBay:
Infineon FP30R06KE3 IGBT Module 600V 30A60A 125W EconoPIM 2
- MarkeInfineon
- HöheInfineon
Jetzt bei eBay:
APT100GT60JR Microsemi Thunderbolt IGBT 600V 148A SOT-227 Power Module
- Transistor-TypLeistungstransistor
- HerstellernummerAPT100GT60JR, APT100GT60
- MarkeMicrosemi
- ProduktartIGBT
- Maximale Kollektor-Basis Spannung600 V
- GehäuseSOT-227
- Maximaler DC Kollektorstrom148 A
Jetzt bei eBay:
SKiiP23NAB126V1 SEMIKRON Modul IGBT DiodeTransistor buck chopper 1,2kV 31A
- MarkeSEMIKRON
- ProduktartIGBT
- Maximaler DC Kollektorstrom1,2 A
- Kollektor-Emitter-Spannung1,2 kV
Jetzt bei eBay:
2MBI75VA-120-50 Fuji Power IGBT Modul 1200V 75A Module
- Transistor-TypLeistungstransistor
- Herstellernummer2MBI75VA-120-50, 2MBI75VA-120, 2MBI75VA-, 2MBI75VA, 2MBI75VA120, 2MBI75VA 120 50, 2MBI75VA 120
- MarkeFuji
- ProduktartIGBT
- Herstellungsland und -regionJapan
- Maximale Kollektor-Basis Spannung1200 V
- Kollektor-Emitter-Spannung1200 V
- Maximaler DC Kollektorstrom75 A
Jetzt bei eBay:
SKM 25GD125D Modul IGBT TransistorTransistor 3-phasen Brücke IGBT Ic 27A SEMI
- HerstellernummerSKM 25GD125D
- MarkeSEMIKRON
- HerstellerSEMIKRON
- MarkenkompatibilitätFür SEMIKRON
- ProduktartElektronik
- EAN7431902522544
Jetzt bei eBay:
2MBI900VXA-120E-54 2MBI900VXA Fuji Power Module 1200V 900A IGBT 2 in 1 Modul
- Transistor-TypLeistungstransistor
- Herstellernummer2MBI900VXA-120E-54, 2MBI900VXA-120E54, 2MBI900VXA-120E 54, 2MBI900VXA120E 54, 2MBI900VXA 120E 54, 2MBI900VXA120E54, 2MBI900VXA120, 2MBI900VX-A120, 2MBI900VXA-120, 2MBI900VXA-120E, 2MBI900VXA, 2MBI900V, 2MBI900
- MarkeFuji
- ProduktartIGBT
- Anzahl der Elemente pro Chip2
- Maximale Kollektor-Basis Spannung1200 V
- Maximaler DC Kollektorstrom900 A
* Affiliate-Link zur Verkaufsplattform eBay
Auf dieser Seite findest Du Artikel der Marken Fuji, Infineon, SEMIKRON, Mitsubishi, DYNEX, Microsemi, Toshiba, MICROCHIP TECHNOLOGY und SIEMENS.
Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
