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IGBT Modul N-Series Fuji Electric 2MBI150N-120 150A 1200V Halbbrücke
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Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
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IGBT Modul N-Series Fuji Electric 2MBI150N-120 150A 1200V Halbbrücke
- Maximale Kollektor-Basis Spannung1200 V
- Maximale Basis-Emitter Spannung-150 V
- Transistor-TypLeistungstransistor
- MarkeFuji
- ProduktartIGBT
- Anzahl der Pins7
- Kollektor-Emitter-Spannung600 V
- Maximaler DC Kollektorstrom150A
- Artikelnr.256133788988
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Ich biete hier insgesamt 5 IGBT Module Typ Fuji Electric 2MBI150N-120 150A 1200V an.
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- MarkeFuji
- ProduktartIGBT
- Herstellungsland und -regionJapan
- Maximale Kollektor-Basis Spannung1200 V
- Kollektor-Emitter-Spannung1200 V
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- ProduktartIGBT
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- Kollektor-Emitter-Spannung1200 V
- Maximaler DC Kollektorstrom300 A
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- ProduktartIGBT
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- Maximaler DC Kollektorstrom1200 A
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- MaßeinheitEinheit
- Minimale Gleichstromverstärkung1200
- Kollektor-Emitter-Spannung3300V
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- Maximaler DC Kollektorstrom60 A
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