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Mitsubishi CM50DU-24F IGBT Module 1200V 50A NChannel R6-D13
- MarkeMitsubishi
- HerstellernummerCM50DU-24F
- Volt1200V
- Amper50A
- EAN4251192715371
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MICROCHIP TECHNOLOGY APT85GR120JD60 IGBT-MODUL
- BrandMICROCHIP TECHNOLOGY
- MarkeMICROCHIP TECHNOLOGY
- ProduktartIGBT
- MPNAPT85GR120L
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STGIPN3H60-E STMicroelectronics IGBT 3 Phasen 600V 3A 26-PowerDIP Modul 740123
- MarkeSTMicroelectronics
- HerstellernummerSTGIPN3H60-E
- ProduktartIGBT
- EAN4251192740601
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SKiiP23NAB126V1 SEMIKRON Modul IGBT DiodeTransistor buck chopper 1,2kV 31A
- MarkeSEMIKRON
- ProduktartIGBT
- Maximaler DC Kollektorstrom1,2 A
- Kollektor-Emitter-Spannung1,2 kV
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MITSUBISHI IGBT MODULES CM75BU-12H
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IGCM20F60GAXKMA1 IPM-Modul, IGBT, 600 V, 20 A, DIP, intelligente Leistungsmodule
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CM100DY-24A IGBT MODULE DUAL 1200V 100A MITSUBISHI 716203
- MarkeMITSUBISHI
- HerstellernummerCM100DY-24A
- Volt1200V
- Amper100A
- EAN4251192726773
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2MBI75VA-120-50 Fuji Power IGBT Modul 1200V 75A Module
- Transistor-TypLeistungstransistor
- Herstellernummer2MBI75VA-120-50, 2MBI75VA-120, 2MBI75VA-, 2MBI75VA, 2MBI75VA120, 2MBI75VA 120 50, 2MBI75VA 120
- MarkeFuji
- ProduktartIGBT
- Herstellungsland und -regionJapan
- Maximale Kollektor-Basis Spannung1200 V
- Kollektor-Emitter-Spannung1200 V
- Maximaler DC Kollektorstrom75 A
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2MBI300N-120 FUJI IGBT Modul Dual Power Module 1200V 300A New
- Transistor-TypLeistungstransistor
- Herstellernummer2MBI300N-120, 2MBI300N
- MarkeFuji
- ProduktartIGBT
- Anzahl der Elemente pro Chip2
- Kollektor-Emitter-Spannung1200 V
- Maximaler DC Kollektorstrom300 A
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PS21997-4 MITSUBISHI Ipm IGBT Modul
- MarkeMitsubishi
- ProduktartIGBT
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IGBT-Modul Hitachi MBN1200E33C 3300 V 1200 A Einzelschalter, neu
- HerstellernummerMBN1200E33C
- Maximale Betriebstemperatur+125 °C
- Maximale Basis-Emitter Spannung20 V
- Kollektor-Emitter3300 V
- Herstellungsland und -regionJapan
- Maximale Kollektor-Basis Spannungxxx
- ProduktartIGBT
- Länge190
- Höhe38 mm
- Maximale Basis-Emitter-Spannung20 V
- KonfigurationEinfach
- Anzahl der Einheiten1
- Maximaler DC Kollektorstrom1200 A
- Minimale Betriebstemperatur-40°C
- MaßeinheitEinheit
- Minimale Gleichstromverstärkung1200
- Kollektor-Emitter-Spannung3300V
- Transistor-TypIGBT
- SerieMBN
- Breite140 mm
- TransistortypIGBT
- MarkeHitachi
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BSM400GB60DN2 Eupec Infineon IGBT Modul 600V 400A Power Module New
- Maximale Kollektor-Basis Spannung600 V
- Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung-400 V
- Maximale Basis-Emitter Sättigungsspannung-2 V
- Transistor-TypLeistungstransistor
- HerstellernummerBSM400GB60DN2, BSM400GB60DN, BSM400GB60D, BSM400GB60, BSM400GB6, BSM400GB, BSM400G, BSM400
- MarkeInfineon
- ProduktartIGBT
- Kollektor-Emitter-Spannung600 V
- Maximaler DC Kollektorstrom400 A
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Semikron SKM145GB176D IGBT - Modul SEMITRANS 2 Einzeln Standard 1700 V
- MarkeSemikron
- ProduktartIGBT - Modul
- Transistor-TypTrench
- Herstellernummer22890695
- Länge100
- Anzahl der Einheiten0
- FarbeMulti
- EAN2050000614842
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IXYS MID145-12A3 IGBT Module
- MarkeIXYS
- Herstellernummer194-401
- ProduktartIGBT
- Maximaler DC Kollektorstrom12 A
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APT200GT60JR Microsemi Modul 600V 200A IGBT Module SOT-227
- Transistor-TypLeistungstransistor
- HerstellernummerAPT200GT60JR, APT200GT60
- MarkeMicrosemi
- ProduktartIGBT
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- GehäuseSOT-227
- Maximaler DC Kollektorstrom60 A
- Kollektor-Emitter-Spannung600 V
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Transistor, IGBT Modul, 1200V, 40A
- MarkeFusemi
- ProduktartIGBT
- Maximale Kollektor-Basis Spannung1200 V
- Maximaler DC Kollektorstrom40 A
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MOSFET IGBT Modul, FP15R12YT3, 15A, 1200V, 3Phasen, Infineon 1St
- MarkeInfineon
- EANnichtzutreffend
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SK20MLI066 SEMIKRON Power IGBT MODULE 30A 600V SEMITOP Brand-New
- Transistor-TypLeistungstransistor
- HerstellernummerSK20MLI066
- MarkeSEMIKRON
- Maximale Betriebstemperatur80 °C
- ProduktartIGBT
- Maximale Kollektor-Basis Spannung600 V
- MaßeinheitEinheit
- Minimale Betriebstemperatur-25 °C
- Maximaler DC Kollektorstrom30 A
- Kollektor-Emitter-Spannung600 V
- Anzahl der Einheiten1
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MG200H2CK1 Toshiba Dual Transistor Module 200A 550V Brand New Original
- Transistor-TypLeistungstransistor
- HerstellernummerMG200H2CK1
- MarkeToshiba
- ProduktartIGBT
- Anzahl der Elemente pro Chip2
- MaßeinheitEinheit
- Anzahl der Einheiten1
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Transistor, IGBT Modul, 1200V, 15A
- MarkeFusemi
- ProduktartIGBT
- Maximale Kollektor-Basis Spannung1200 V
- Maximaler DC Kollektorstrom15 A
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IGBT Modul N-Series Fuji Electric 2MBI150N-120 150A 1200V Halbbrücke
- Maximale Kollektor-Basis Spannung1200 V
- Maximale Basis-Emitter Spannung-150 V
- Transistor-TypLeistungstransistor
- MarkeFuji
- ProduktartIGBT
- Anzahl der Pins7
- Kollektor-Emitter-Spannung600 V
- Maximaler DC Kollektorstrom150A
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Transistor, IGBT Modul, 1200V, 40A
- MarkeFusemi
- ProduktartIGBT
- Maximale Kollektor-Basis Spannung1200 V
- Maximaler DC Kollektorstrom40 A
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Transistor, IGBT Modul, 1200V, 25A
- MarkeFusemi
- ProduktartIGBT
- Maximale Kollektor-Basis Spannung1200 V
- Maximaler DC Kollektorstrom25 A
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Toshiba MG50G2YL9 Modul Leistungs IGBT Brücke 50A 600V
- Maßeinheit100 g
- Maximale Basis-Emitter-Sättigungsspannunga
- MarkeToshiba
- Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannunga
- Transistor-TypIGBT
- Maximale Kollektor-Basis-Spannung450 V
- Kollektor-Emitter600 V
- Maximaler DC Kollektorstrom50 A
- Maximale Basis-Emitter-Spannung50 V
- ProduktartIGBT
- Kollektor-Emitter-Spannung600 V
- Maximale Kollektor-Basis Spannung600 V
- Maximale Basis-Emitter Spannung9 V
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Semikron SKM400GA12V IGBT - Modul SEMITRANS 4 Einzeln Standard 1200 V
- MarkeSemikron
- ProduktartIGBT - Modul
- Transistor-TypTrench
- Herstellernummer22892103
- Länge100
- Anzahl der Einheiten0
- FarbeMulti
- EAN2050001655875
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Semikron SKM50GB12T4 Dual Half Bridge IGBT Module, 81 A 1200 V 0,055
- HerstellernummerSKM50GB12T4
- MarkeSEMIKRON
- ProduktartDual Half Bridge IGBT Module
* Affiliate-Link zur Verkaufsplattform eBay
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