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MICROCHIP TECHNOLOGY APT85GR120JD60 IGBT-MODUL
- BrandMICROCHIP TECHNOLOGY
- MarkeMICROCHIP TECHNOLOGY
- ProduktartIGBT
- MPNAPT85GR120L
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Mitsubishi CM50DU-24F IGBT Module 1200V 50A NChannel R6-D13
- MarkeMitsubishi
- HerstellernummerCM50DU-24F
- Volt1200V
- Amper50A
- EAN4251192715371
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CM100DY-24A IGBT MODULE DUAL 1200V 100A MITSUBISHI 716203
- MarkeMITSUBISHI
- HerstellernummerCM100DY-24A
- Volt1200V
- Amper100A
- EAN4251192726773
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SKiiP23NAB126V1 SEMIKRON Modul IGBT DiodeTransistor buck chopper 1,2kV 31A
- MarkeSEMIKRON
- ProduktartIGBT
- Maximaler DC Kollektorstrom1,2 A
- Kollektor-Emitter-Spannung1,2 kV
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PS21997-4 MITSUBISHI Ipm IGBT Modul
- MarkeMitsubishi
- ProduktartIGBT
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Transistor, IGBT Modul, 650V, 100A
- HerstellernummerS3L100R07G6
- Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung650 V
- MarkeSemi-Future Technology
- Herstellungsland und -regionChina
- ProduktartIGBT
- Maximaler DC Kollektorstrom100 A
- Kollektor-Emitter-Spannung100 V, -100 V
- EAN04262439050001
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2MBI300N-120 FUJI IGBT Modul Dual Power Module 1200V 300A New
- Transistor-TypLeistungstransistor
- Herstellernummer2MBI300N-120, 2MBI300N
- MarkeFuji
- ProduktartIGBT
- Anzahl der Elemente pro Chip2
- Kollektor-Emitter-Spannung1200 V
- Maximaler DC Kollektorstrom300 A
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IGBT Modul N-Series Fuji Electric 2MBI75N-120 75A 1200V
- MarkeFuji
- ProduktartIGBT
- Maximaler DC Kollektorstrom75A
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MG150G2YL1 Toshiba Power Module Half Bridge GTR 600V 2 x 150A Built-in Diode
- Transistor-TypLeistungstransistor
- HerstellernummerMG150G2YL1, MG15OG2YL1
- MarkeToshiba
- ProduktartIGBT
- Maximale Betriebstemperatur85 °C
- MaßeinheitEinheit
- SerieMG
- Maximaler DC Kollektorstrom150 A
- Kollektor-Emitter-Spannung600 V
- Anzahl der Einheiten1
- Minimale Betriebstemperatur-25 °C
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Infineon Technologies IGBT-Modul FZ1200R12KF5, NEUOVP
- MarkeInfineon
- ProduktartIGBT
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IGBT-Modul Hitachi MBN1200E33C 3300 V 1200 A Einzelschalter, neu
- HerstellernummerMBN1200E33C
- Maximale Betriebstemperatur+125 °C
- Maximale Basis-Emitter Spannung20 V
- Kollektor-Emitter3300 V
- Herstellungsland und -regionJapan
- Maximale Kollektor-Basis Spannungxxx
- ProduktartIGBT
- Länge190
- Höhe38 mm
- Maximale Basis-Emitter-Spannung20 V
- KonfigurationEinfach
- Anzahl der Einheiten1
- Maximaler DC Kollektorstrom1200 A
- Minimale Betriebstemperatur-40°C
- MaßeinheitEinheit
- Minimale Gleichstromverstärkung1200
- Kollektor-Emitter-Spannung3300V
- Transistor-TypIGBT
- SerieMBN
- Breite140 mm
- TransistortypIGBT
- MarkeHitachi
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Semikron SKM145GB176D IGBT - Modul SEMITRANS 2 Einzeln Standard 1700 V
- MarkeSemikron
- ProduktartIGBT - Modul
- Transistor-TypTrench
- Herstellernummer22890695
- Länge100
- Anzahl der Einheiten0
- FarbeMulti
- EAN2050000614842
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BSM400GB60DN2 Eupec Infineon IGBT Modul 600V 400A Power Module New
- Maximale Kollektor-Basis Spannung600 V
- Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung-400 V
- Maximale Basis-Emitter Sättigungsspannung-2 V
- Transistor-TypLeistungstransistor
- HerstellernummerBSM400GB60DN2, BSM400GB60DN, BSM400GB60D, BSM400GB60, BSM400GB6, BSM400GB, BSM400G, BSM400
- MarkeInfineon
- ProduktartIGBT
- Kollektor-Emitter-Spannung600 V
- Maximaler DC Kollektorstrom400 A
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SIEMENS BSM200GA120D Dual IGBT Module
- MarkeSIEMENS
- HerstellernummerBSM200GA120D
- ProduktartIGBT
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Toshiba MG50G2YL9 Modul Leistungs IGBT Brücke 50A 600V
- Maßeinheit100 g
- Maximale Basis-Emitter-Sättigungsspannunga
- MarkeToshiba
- Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannunga
- Transistor-TypIGBT
- Maximale Kollektor-Basis-Spannung450 V
- Kollektor-Emitter600 V
- Maximaler DC Kollektorstrom50 A
- Maximale Basis-Emitter-Spannung50 V
- ProduktartIGBT
- Kollektor-Emitter-Spannung600 V
- Maximale Kollektor-Basis Spannung600 V
- Maximale Basis-Emitter Spannung9 V
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IGBT-Modul Semikron SKM50GB12T4 Neu Halbbrücke
- MarkeSEMIKRON
- ProduktartIGBT
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Infineon FP50R06KE3 IGBT Module 600V 50A100A EconoPIM 2
- MarkeInfineon
- HöheInfineon
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APT200GT60JR Microsemi Modul 600V 200A IGBT Module SOT-227
- Transistor-TypLeistungstransistor
- HerstellernummerAPT200GT60JR, APT200GT60
- MarkeMicrosemi
- ProduktartIGBT
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- GehäuseSOT-227
- Maximaler DC Kollektorstrom60 A
- Kollektor-Emitter-Spannung600 V
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SK 35 GAL 12T4 Modul IGBT DiodeTransistor boost chopper 1,2kV Ic 35A S
- HerstellernummerSK 35 GAL 12T4
- MarkeSEMIKRON
- HerstellerSEMIKRON
- MarkenkompatibilitätFür SEMIKRON
- ProduktartElektronik
- EAN3152904142458
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APT100GT60JR Microsemi Thunderbolt IGBT 600V 148A SOT-227 Power Module
- Transistor-TypLeistungstransistor
- HerstellernummerAPT100GT60JR, APT100GT60
- MarkeMicrosemi
- ProduktartIGBT
- Maximale Kollektor-Basis Spannung600 V
- GehäuseSOT-227
- Maximaler DC Kollektorstrom148 A
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MITSUBISHI IGBT MODULES CM75BU-12H (2)
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Infineon FP30R06KE3 IGBT Module 600V 30A60A 125W EconoPIM 2
- MarkeInfineon
- HöheInfineon
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BSM50GX120DN2 INFINEON IGBT MODULE - ORIGINAL
- FunzioneDi potenza
- Marcainfineon
- ModelloBSM50GX120DN2
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IGBT ON NFVF97565L1ZT2 ASPM16-CAA 650V 75A Smart Power Module NOS
- MarkeON Semiconductor
- MontageartDurchsteckmontage
- Maximale Basis-Emitter Sättigungsspannung-2 V
- ProduktartIGBT
- Anzahl der Elemente pro Chip1
- Maximaler DC Kollektorstrom16 A
- Anzahl der Pins13
- Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung650 V
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Infineon Technologies IGBT Modul Trench FZ1600R33HE4BPSA1 1 Stück 0,46
- HerstellernummerIGBT Modul, FZ1600R33HE4BPSA1
- MarkeInfineon
- ProduktartIGBT Modul
- EANnichtzutreffend
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2MBI900VXA-120E-54 2MBI900VXA Fuji Power Module 1200V 900A IGBT 2 in 1 Modul
- Transistor-TypLeistungstransistor
- Herstellernummer2MBI900VXA-120E-54, 2MBI900VXA-120E54, 2MBI900VXA-120E 54, 2MBI900VXA120E 54, 2MBI900VXA 120E 54, 2MBI900VXA120E54, 2MBI900VXA120, 2MBI900VX-A120, 2MBI900VXA-120, 2MBI900VXA-120E, 2MBI900VXA, 2MBI900V, 2MBI900
- MarkeFuji
- ProduktartIGBT
- Anzahl der Elemente pro Chip2
- Maximale Kollektor-Basis Spannung1200 V
- Maximaler DC Kollektorstrom900 A
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Semikron SKM400GA12V IGBT - Modul SEMITRANS 4 Einzeln Standard 1200 V
- MarkeSemikron
- ProduktartIGBT - Modul
- Transistor-TypTrench
- Herstellernummer22892103
- Länge100
- Anzahl der Einheiten0
- FarbeMulti
- EAN2050001655875
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