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MG150G2YL1 Toshiba Power Module Half Bridge GTR 600V 2 x 150A Built-in Diode
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MG150G2YL1 Toshiba Power Module Half Bridge GTR 600V 2 x 150A Built-in Diode
- Transistor-TypLeistungstransistor
- HerstellernummerMG150G2YL1, MG15OG2YL1
- MarkeToshiba
- ProduktartIGBT
- Maximale Betriebstemperatur85 °C
- MaßeinheitEinheit
- SerieMG
- Maximaler DC Kollektorstrom150 A
- Kollektor-Emitter-Spannung600 V
- Anzahl der Einheiten1
- Minimale Betriebstemperatur-25 °C
- Artikelnr.374942755000
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MG150G2YL1 Toshiba GTR Power Module 600V 150A Built-in Diode. Sie sind zur Rückgabe gebrauchter Batterien als Endnutzer gesetzlich verpflichtet. Die auf den Batterien abgebildeten Symbole haben folgende Bedeutung.
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