Bücher
An SOI LDMOS For Better Switch Application Electron Devices 2220
Die Inhalte dieser Webseite enthalten Affiliate-Links, für die wir möglicherweise eine Vergütung erhalten.
Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
An SOI LDMOS For Better Switch Application Electron Devices 2220
- EAN9783659406751
- ISBN3659406759
- AutorBiswas, Arindam; Rafique, Arzoo; Bhattacharjee, Anup Kumar
- PublikationsnameAn SOI LDMOS For Better Switch Application Electron Devices 2220
- SpracheEnglisch
- Format84 pages; 220 x 150 mm
- Verlag2013
- ProduktartPaperback / Softback
- Anzahl der Seiten84 pages
- FachIngenieurwissenschaften & Technik
- Artikelnr.274898600363
Jetzt bei eBay:
Zum Angebot *
49,90
This book is proposed to develop an SOI (Silicon on Insulator) LDMOS in which a drift region of 1- m is added to a conventional n-MOS and compare them on various aspects. The drift region utilizes the RESURF effect that is utilized to distribute the electric field into the LDD region.
Das könnte Dich auch interessieren:
- HUGINN - ein ESA Projekt mit Andreas Mogensen (Dänemark)
- Niklas Luhmann Liebe als Passion 9783518287248
- Die Besteuerung der GmbH - leicht gemacht Buch 9783874403375
- Exam Ref MD-101 Managing Modern Desktops, 1e Andrew Bettany (u. a.) Buch
- Die MH17-Falle
- Matthias Sodtke Nulli Priesemut Das große Regenbogenfest
- US-amerikanisches Softwarevertrags- und IT-Recht Mathias Lejeune
- Kauf versus Miete Böckelmann, Frank
- Marketing Heribert Meffert (u. a.) Buch Meffert Marketing Edition 1 Buch
- Lückenfüller NaWi Petra Pichlhöfer
Jetzt bei eBay:
Failure analysis of Hot-Electron Effect on power RF N-LDMOS transistor Belaïd
- PublikationsnameFailure analysis of Hot-Electron Effect on power RF N-LDMOS trans
- AutorMohamed Ali Belaïd
- Erscheinungsjahr2012
- SpracheEnglisch
- Seiten76
- MarkeLAP LAMBERT Academic Publishing
- HerstellerLAP LAMBERT Academic Publishing
- VerlagLAP LAMBERT Academic Publishing
- FormatTaschenbuch
- GenreTechnik
- TitelzusatzReliability study of Semiconductor devices after accelerated agei
- SchlagworteElektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik, Technik
- Herstellungsland und -regionDeutschland
- ISBN365920062X
Jetzt bei eBay:
Failure analysis of Hot-Electron Effect on power RF N-LDMOS transistor Belaïd
- PublikationsnameFailure analysis of Hot-Electron Effect on power RF N-LDMOS trans
- AutorMohamed Ali Belaïd
- Erscheinungsjahr2012
- SpracheEnglisch
- Seiten76
- MarkeLAP LAMBERT Academic Publishing
- HerstellerLAP LAMBERT Academic Publishing
- VerlagLAP LAMBERT Academic Publishing
- FormatTaschenbuch
- GenreTechnik
- TitelzusatzReliability study of Semiconductor devices after accelerated agei
- SchlagworteElektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik, Technik
- Herstellungsland und -regionDeutschland
- ISBN365920062X
Jetzt bei eBay:
Failure analysis of Hot-Electron Effect on power RF N-LDMOS transistor Belaïd
- PublikationsnameFailure analysis of Hot-Electron Effect on power RF N-LDMOS trans
- AutorMohamed Ali Belaïd
- Erscheinungsjahr2012
- SpracheEnglisch
- Seiten76
- MarkeLAP LAMBERT Academic Publishing
- HerstellerLAP LAMBERT Academic Publishing
- VerlagLAP LAMBERT Academic Publishing
- FormatTaschenbuch
- GenreTechnik
- TitelzusatzReliability study of Semiconductor devices after accelerated agei
- SchlagworteElektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik, Technik
- Herstellungsland und -regionDeutschland
- ISBN365920062X
Jetzt bei eBay:
Arindam Biswas (u. a.) An SOI LDMOS For Better Switch Application Buch
- PublikationsnameAn SOI LDMOS For Better Switch Application
- AutorArindam Biswas
- Erscheinungsjahr2013
- SpracheEnglisch
- Seiten84
- MarkeLAP LAMBERT Academic Publishing
- HerstellerLAP LAMBERT Academic Publishing
- VerlagLAP LAMBERT Academic Publishing
- FormatTaschenbuch
- GenreTechnik
- TitelzusatzElectron Devices
- SchlagworteElektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik, Technik
- Herstellungsland und -regionDeutschland
- ISBN3659406759
Jetzt bei eBay:
Design of SOI LDMOS for Base station and Wireless SOC Applications 2040
- EAN9783838361543
- ISBN3838361547
- AutorSithanandam, Radhakrishnan
- PublikationsnameDesign of SOI LDMOS for Base station and Wireless SOC Application
- SpracheEnglisch
- Format136 pages; 220 x 150 mm
- Verlag2012
- ProduktartPaperback / Softback
- Anzahl der Seiten136 pages
- FachIngenieurwissenschaften & Technik
Jetzt bei eBay:
Failure analysis of Hot-Electron Effect on power RF N-LDMOS transistor Reli 1919
- EAN9783659200625
- ISBN365920062X
- AutorBelaïd, Mohamed Ali
- PublikationsnameFailure analysis of Hot-Electron Effect on power RF N-LDMOS trans
- SpracheEnglisch
- Format76 pages; 220 x 150 x 4 mm
- Verlag2012
- ProduktartPaperback / Softback
- Anzahl der Seiten76 pages
- Gewicht118g
- FachIngenieurwissenschaften & Technik
* Affiliate-Link zur Verkaufsplattform eBay
Auf dieser Seite findest Du Artikel der Marke LAP LAMBERT Academic Publishing.
Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
