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Failure analysis of Hot-Electron Effect on power RF N-LDMOS transistor Belaïd
- PublikationsnameFailure analysis of Hot-Electron Effect on power RF N-LDMOS trans
- AutorMohamed Ali Belaïd
- Erscheinungsjahr2012
- SpracheEnglisch
- Seiten76
- MarkeLAP LAMBERT Academic Publishing
- HerstellerLAP LAMBERT Academic Publishing
- VerlagLAP LAMBERT Academic Publishing
- FormatTaschenbuch
- GenreTechnik
- TitelzusatzReliability study of Semiconductor devices after accelerated agei
- SchlagworteElektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik, Technik
- Herstellungsland und -regionDeutschland
- ISBN365920062X
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Failure analysis of Hot-Electron Effect on power RF N-LDMOS transistor Belaïd
- PublikationsnameFailure analysis of Hot-Electron Effect on power RF N-LDMOS trans
- AutorMohamed Ali Belaïd
- Erscheinungsjahr2012
- SpracheEnglisch
- Seiten76
- MarkeLAP LAMBERT Academic Publishing
- HerstellerLAP LAMBERT Academic Publishing
- VerlagLAP LAMBERT Academic Publishing
- FormatTaschenbuch
- GenreTechnik
- TitelzusatzReliability study of Semiconductor devices after accelerated agei
- SchlagworteElektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik, Technik
- Herstellungsland und -regionDeutschland
- ISBN365920062X
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Failure analysis of Hot-Electron Effect on power RF N-LDMOS transistor Belaïd
- PublikationsnameFailure analysis of Hot-Electron Effect on power RF N-LDMOS trans
- AutorMohamed Ali Belaïd
- Erscheinungsjahr2012
- SpracheEnglisch
- Seiten76
- MarkeLAP LAMBERT Academic Publishing
- HerstellerLAP LAMBERT Academic Publishing
- VerlagLAP LAMBERT Academic Publishing
- FormatTaschenbuch
- GenreTechnik
- TitelzusatzReliability study of Semiconductor devices after accelerated agei
- SchlagworteElektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik, Technik
- Herstellungsland und -regionDeutschland
- ISBN365920062X
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Arindam Biswas (u. a.) An SOI LDMOS For Better Switch Application Buch
- PublikationsnameAn SOI LDMOS For Better Switch Application
- AutorArindam Biswas
- Erscheinungsjahr2013
- SpracheEnglisch
- Seiten84
- MarkeLAP LAMBERT Academic Publishing
- HerstellerLAP LAMBERT Academic Publishing
- VerlagLAP LAMBERT Academic Publishing
- FormatTaschenbuch
- GenreTechnik
- TitelzusatzElectron Devices
- SchlagworteElektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik, Technik
- Herstellungsland und -regionDeutschland
- ISBN3659406759
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An SOI LDMOS For Better Switch Application Electron Devices 2220
- EAN9783659406751
- ISBN3659406759
- AutorBiswas, Arindam; Rafique, Arzoo; Bhattacharjee, Anup Kumar
- PublikationsnameAn SOI LDMOS For Better Switch Application Electron Devices 2220
- SpracheEnglisch
- Format84 pages; 220 x 150 mm
- Verlag2013
- ProduktartPaperback / Softback
- Anzahl der Seiten84 pages
- FachIngenieurwissenschaften & Technik
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Failure analysis of Hot-Electron Effect on power RF N-LDMOS transistor Reli 1919
- EAN9783659200625
- ISBN365920062X
- AutorBelaïd, Mohamed Ali
- PublikationsnameFailure analysis of Hot-Electron Effect on power RF N-LDMOS trans
- SpracheEnglisch
- Format76 pages; 220 x 150 x 4 mm
- Verlag2012
- ProduktartPaperback / Softback
- Anzahl der Seiten76 pages
- Gewicht118g
- FachIngenieurwissenschaften & Technik
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