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Failure analysis of Hot-Electron Effect on power RF N-LDMOS transistor Reli 1919
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Failure analysis of Hot-Electron Effect on power RF N-LDMOS transistor Reli 1919
- EAN9783659200625
- ISBN365920062X
- AutorBelaïd, Mohamed Ali
- PublikationsnameFailure analysis of Hot-Electron Effect on power RF N-LDMOS trans
- SpracheEnglisch
- Format76 pages; 220 x 150 x 4 mm
- Verlag2012
- ProduktartPaperback / Softback
- Anzahl der Seiten76 pages
- Gewicht118g
- FachIngenieurwissenschaften & Technik
- Artikelnr.265255723272
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As well improve their performance and quality. This book presents a synthesis of Hot-Electron effects on power RF LDMOS performances, after accelerated ageing tests. This can modify and degrade transistor physical and electrical behaviour.
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- AutorMohamed Ali Belaïd
- Erscheinungsjahr2012
- SpracheEnglisch
- Seiten76
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- FormatTaschenbuch
- GenreTechnik
- TitelzusatzReliability study of Semiconductor devices after accelerated agei
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- Herstellungsland und -regionDeutschland
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- ProduktartPaperback / Softback
- Anzahl der Seiten84 pages
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- SpracheEnglisch
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- Verlag2012
- ProduktartPaperback / Softback
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- FachIngenieurwissenschaften & Technik
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