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Failure analysis of Hot-Electron Effect on power RF N-LDMOS transistor Belaïd
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Failure analysis of Hot-Electron Effect on power RF N-LDMOS transistor Belaïd
- PublikationsnameFailure analysis of Hot-Electron Effect on power RF N-LDMOS trans
- AutorMohamed Ali Belaïd
- Erscheinungsjahr2012
- SpracheEnglisch
- Seiten76
- MarkeLAP LAMBERT Academic Publishing
- HerstellerLAP LAMBERT Academic Publishing
- VerlagLAP LAMBERT Academic Publishing
- FormatTaschenbuch
- GenreTechnik
- TitelzusatzReliability study of Semiconductor devices after accelerated agei
- SchlagworteElektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik, Technik
- Herstellungsland und -regionDeutschland
- ISBN365920062X
- Artikelnr.365122234788
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45,95
Titel: Failure analysis of Hot-Electron Effect on power RF N-LDMOS transistor | Zusatz: Reliability study of Semiconductor devices after accelerated ageing tests | Medium: Taschenbuch | Autor: Mohamed Ali Belaïd | Einband: Kartoniert / Broschiert | Inhalt: 76 S. | Ausstattung / Beilage: Paperback | Sprache: Englisch | Seiten: 76 | Maße: 220 x 150 x 5 mm | Erschienen: 29.07.2012 | Anbieter: Cellestria.
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- ISBN365920062X
- AutorBelaïd, Mohamed Ali
- PublikationsnameFailure analysis of Hot-Electron Effect on power RF N-LDMOS trans
- SpracheEnglisch
- Format76 pages; 220 x 150 x 4 mm
- Verlag2012
- ProduktartPaperback / Softback
- Anzahl der Seiten76 pages
- Gewicht118g
- FachIngenieurwissenschaften & Technik
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